近日，第五届中国电源学会科学技术奖颁奖大会在深圳隆重举行。扬州国扬电子有限公司参与的“车用高密度功率模块封装关键技术、材料与应用”在评选活动中荣获技术发明奖一等奖！

　　长期以来，国扬公司致力于IGBT、SiC MOS功率模块的封装研究，参与建立了低寄生电感、高散热效率的高密度车用模块设计方法，研制出多款高性能Si IGBT模块、SiC混合模块和SiC MOS模块，并且开始在新能源汽车等领域进行了示范应用。

　　公司参与的功率模块封装具有重要的现实意义和工程应用前景，为电动汽车和关键能源系统制造提供了有力支撑。目前，技术总体达到了国际先进水平，其中模块设计用三维映射模型、纳米银焊膏及其大面积无压低温烧结可靠工艺，以及高密度双面散热车用大电流SiC MOS模块达到国际领先水平。

　　“以创新引领发展”，始终是国扬公司坚持的发展理念。近几年，公司坚持以科技创新为先导，以技术引领做产业，承担了多项国家、地方政府相关科研及产业化项目，在科研投入、新品开发和市场拓展等方面都位于行业前列。截止目前，公司已申请国家专利106多件，其中授权发明专利19件，授权实用新型专利50件，申请国际PCT专利3件（1件已进入美国、欧洲），申请撰写行业标准规范1项，发表相关专业论文9篇。

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　　“中国电源学会科学技术奖”（国科奖社证字第0220号）是经中华人民共和国科学技术部批准设立，在国家科技奖励办公室正式备案，代表我国电源行业最高水平的科技奖励活动，每两年评选一次。该奖项主要奖励在我国电源领域的科学研究、技术创新、新品开发、科技成果推广应用等方面做出突出贡献的个人和单位。