近日，在第一届秦淮硅巷国际创新创业大赛中，由中电芯谷高频器件产业研究院选送的《微米级薄膜太赫兹集成芯片技术》和《太赫兹固态放大器芯片》两个项目，均获得创新组优秀奖。本次大赛由江苏省高新技术创业服务中心和南京市秦淮区人民政府联合主办，分设创新组和创业组两个组别，中电芯谷高频研究院聚焦主责主业，围绕化合物半导体高频器件关键工艺及芯片技术进行组织策划申报，结合新型电子信息技术和前沿新材料的太赫兹技术方向申报创新项目3项。经过研究院领导的指导和项目团队成员的精心准备，3个项目均顺利通过初赛进入复赛阶段，并在创新组决赛中获得两项优秀奖。其中，微米级薄膜太赫兹集成芯片技术是通过特殊的设计与工艺，使芯片厚度降低，显著提升太赫兹电路性能，尤其是工作在0.6THz以上的太赫兹混频、倍频电路。随着太赫兹频率的提升，芯片衬底对太赫兹的损耗及对太赫兹波导设计的影响显著增加，因此太赫兹芯片的衬底厚度越薄越好，这也是此项技术的重要性所在。

　　太赫兹固态放大器芯片项目是以固态芯片为核心基础，在工艺制造、仿真建模、芯片设计等关键环节均实现独立研发、自主创新，并瞄准集成电路市场化的微观要素，努力打造更高性能、更低功耗、更小面积的太赫兹固态芯片。当前，5G通信快速发展，6G规划已在路上，频率的不断提升将为太赫兹芯片带来巨大应用前景。

　　通过参加本次大赛，研究院充分展示了在化合物半导体高频器件领域诸多前沿的核心技术，以及所拥有的一流研发团队和平台。同时，研发团队通过参赛过程中的磨练和行业上下游的交流，进一步明确了聚焦市场需求、解决用户痛点的发展策略。